dram刷新间隔怎么算（dram的刷新周期）
- 作者: 佚名
- 2024年01月27日 06:05:07
大家好，今天本篇文章就来给大家分享dram刷新间隔怎么算，以及dram的刷新周期对应的知识和见解，内容偏长哪个，大家要耐心看完哦，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。
1DRAM的集中刷新、分散刷新、异步刷新策略都是什么区别?
1、集中式刷新：在DRAM芯片的控制器中设置一个计数器，用于跟踪刷新操作的时间间隔。当计数器达到预设值时，控制器会发出一个刷新命令，刷新全部存储单元。
2、刷新存储器是主存中的部件，主要有：集中刷新，分散刷新和异步刷新。
3、dram的刷新方式一般有集中刷新和分散隐含刷新两种。集中式刷新即正常读写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成，这种刷新方式的特点在于存在一段停止读写操作的时间，适用于高速存储器。
4、集中刷新，即在整体RAM读取完毕之后进行集中的刷新操作。分散刷新指的是在每次存取周期之后均进行一次刷新（以行为单位），存取和刷新交替进行。异步刷新是将上述两种方法结合到一起的刷新方式。
5、刷新原因——因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充，因此安排了定期刷新操作；常用的刷新方法有三种——集中式、分散式、异步式。
2为什么要使用16K×8位的DRAM芯片?
1、存储芯片容量与芯片数据线、地址线根数都有关系！若芯片数据线8根，即每个存储单元容量1B，则32KB容量，需要32K存储单元，对应地址线要15根。
2、这个过程是计算片内寻址和片选信号的过程。计算过后，你会发现，如果用1K×1位的芯片，需要的地址比16位多。所以，对于一个16K×8位的存储器，用128个1K×1位的芯片，16位地址线是远远不够的。
3、厂商虽然可以将DRAM的体积加大增加引脚，但是为了降低成本和功耗，所以还是要减少地址引脚数量。
4、存储容量：16K字节 工作电压：5V 访问时间：150纳秒 该芯片的主要作用是提供快速、临时性的内存存储功能，可以使电子设备能够更加高效地运行。
5、需要8片，因为16/2=8。（2）因为16K=2的14次方，所以需要14位地址，即A13～A0。（3）因为每个芯片都是2K×8位，而2k=2的11次方，所以加至各芯片的地址线是需要11位，即A10～A0。
3内存刷新间隔设置多少
1、可以进入内存时序设置找到tREFI [内存刷新间隔]设置为65535。
2、TRFC值属于第二小参，表示刷新间隔周期，单位为周期，值越小越好。DDR3内存通常值为90-120。低于80时，可能导致不稳定。CL、tRCD、tRP和tRAS称为第一时序，对颗粒性能的影响最明显，也最重要。
3、TRFC值属于第二小参，表示刷新间隔周期，单位为周期，值越小越好DDR3内存通常值为90120低于80时，可能导致不稳定CLtRCDtRP和tRAS称为第一时序，对颗粒性能的影响最明显，也最重要首先要内存时序英语Memory。
4、内存行刷新周期时间不能改解决办法如下：从主板BIOS里面调，找到内存的设置，把参数调低，数字越小代表延迟越低速度也就越快。
4计算机周期是怎么算的?
机器周期、时钟周期和指令后期的关系是：指令周期=机器周期×时钟周期。机器周期。机器周期（Machine Cycle）：机器周期是计算机完成一次基本操作所需的时间。
计算机中时钟周期是（主频的倒数），一个时钟周期cpu仅完成一个最基本的动作，完成一个基本操作的时间为机器周期，一般由几个时钟周期组成；完成一条指令为指令周期。一般由几个机器周期组成，指令不同机器周期数也不同。
在计算机中，完成一个循环所需要的时间；或访问一次存储器所需要的时间，亦称为周期。周期函数的实质：两个自变量值整体的差等于周期的倍数时，两个自变量值整体的函数值相等。如：f（x+6）=f（x-2）则函数周期为T=8。
本文到此结束，希望对大家有所帮助。
